四、不想北上【数据概览】图130FeV-3V/Al串联催化剂的表征

离开（B）串联器件正面的二次电子SEM图像。在太阳照射条件下，少些克服这种PCE限制的唯一经验证方法是将几种互补的光活性材料（即多个结）组合在一个单一器件中（3）。

（B） 二次电子SEM图像突出显示了添加FBPAc时表面形态的差异，矫情箭头表示FBPAc聚集体。薄膜钙钛矿太阳能电池可以直接沉积在c-Si电池的正面，不想北上以降低热化损失并将可实现的PCE范围扩展到30%。通过XPS和SIMS成像，离开可以看到FBPAc存在于钙钛矿顶部表面，并通过其磷酸基团与钙钛矿中的铅缺陷发生配位作用。

其中一个挑战是迄今为止大多数报告的顶表面钝化方法不能直接适用于微米级纹理，少些因为它们涉及从液体溶液中沉积纳米级有机层。矫情04.数据概览图1.添加FBPAc时减少非辐射复合损失并改善晶体学性质（A）相对于玻璃/钙钛矿参考的光致发光量子产率数据提取的钙钛矿薄膜的光伏发光损失（无和有FBPAc）。

02.成果掠影鉴于此，不想北上洛桑联邦理工学院微电子研究所XinYuChin在之前的工作基础上，不想北上利用磷酸化合物在两个不同的角色中来钝化界面缺陷，设计了一种串联器件，将钙钛矿层覆盖在具有微米级金字塔纹理的硅底部电池上，以提高光电流。

尽管这些串联电池由于前面的金字塔纹理而具有较高的光电流，离开但非辐射复合损失相当大。例如双层反铁磁CrI3具有中心对称的晶体结构，少些但仍显示出巨大的电偶极子SHG，少些观测到的SHG畴与反铁磁畴基本一致，两者对外部磁场的响应是同步的，所以SHG实际上反映的是磁性结构信息，其来自磁序引起的源空间反演和时间反演对称性破缺。

矫情©2023SpringerNature详情：https://doi.org/10.1038/s41586-023-06107-3.。在外加磁场作用下，不想北上LD畴随着磁畴变化而同步变化。

图1块状NiI2的晶体结构、离开磁序和光学特性 ©2023SpringerNature2023年8月17日，离开新加坡国立大学仇成伟教授和电子科技大学彭波教授在在Nature的MattersArising栏目以Dilemmainopticalidentificationofsingle-layermultiferroics为题发文，通过实验和理论对上述成果进行了质疑。最新的报道证明，少些通过和波长依赖性SHG实验证据和对称性分析，少些NiI2的SHG信号来自磁序，而不是铁电极化，并且单层不存在铁电性（https://arxiv.org/abs/2307.10686）。